Samsung hiện vẫn là thương hiệu dẫn đầu về công nghệ 3D NAND trong suốt một thời gian dài, loạt IC nhớ của Samsung được thương mại dưới tên gọi V-NAND và thế hệ này hiện đã bắt đầu bước vào thế hệ thứ năm. Đối với người dùng cuối, điều này có nghĩa là chúng ta kỳ vọng vào loạt ổ đĩa mới sử dụng V-NAND thế hệ năm sẽ mang đến tốc độ cao hơn với các mức giá thấp hơn thế hệ trước.
Các tính năng chính của Samsung V-NAND thế hệ thứ 5:
Trong khi thế hệ 3D NAND mới nhất của Toshiba là BiCS gen4 có khả năng Toggle DDR 3.0, đây là một tính năng vô cùng đáng sợ, nhưng đó là của vài ngày trước. Samsung đã thiết lập một chuẩn mực mới với “Toggle DDR 4.0” đầu tiên của ngành công nghiệp NAND Flash với khả năng truyền tải dữ liệu nhanh hơn. Loạt V-NAND 256Gb mới của Samsung có thể đạt băng thông 1.4Gbps so với 1Gbps của thế hệ trước. Hiệu suất ghi cải thiện đến 30% khi nhanh hơn 500 micro giây. Hiệu suất đọc có thể nhanh hơn 1 phần 10 tại thời điểm này.
V-NAND thế hệ thứ năm mới là thiết kế 90+ (chính thức là “hơn 90 tế bào CTF) trong khi thế hệ trước của Samsung là thiết kế 64 lớp. Điều này cho phép tăng mật độ trên một chip Nand Flash
Điện áp hoạt động giảm từ 1,8volt xuống còn 1,2volt trong thế hệ này.
Trong thông cáo báo chí của mình, Samsung cũng lưu ý rằng họ đã sẳn sàng cho việc cung cấp các chip V-NAND 1TB cũng như các biến thể của V-NAND QLC. Sự thiếu hụt flash dù đang được cải thiện nhưng vẫn đang ảnh hưởng đến các nhà OEM và khách hàng doanh nghiệp. Một yếu tố quan trọng là do sự chuyển đổi giữa MLC và 3D NAND TLC. Khi QLC tiến ra thị trường, tại các thời điểm nhất định thì chi phí sẽ bắt đầu được giảm xuống. Có thể Samsung sẽ công bố một số ổ đĩa mới sử dụng V-NAND thế hệ 5 tại Flash Memory Summit diễn ra trong vài ngày tới.
Thông cáo báo chí đầy đủ của Samsung Electronics có thể xem tại đây
