Mặc dù bộ nhớ 16Gb GDDR6 của Samsung đang là lựa chọn số một cho dòng Quadro RTX của NVIDIA, nhưng Micron cũng vừa tiết lộ rằng họ sẽ là nhà cung cấp bộ nhớ GDDR6 8Gb cho các dòng GeForce RTX của đội Xanh. Dự kiến, các chip GDDR6 8Gb của Micron sẽ được cung cấp độc quyền cho dòng card chơi game của NVIDIA tại thời điểm ra mắt.
Việc Micron chuyển đổi sang GDDR6 một cách nhanh chóng không có gì đáng ngạc nhiên khi họ là công ty duy nhất cung cấp những chip nhớ GDDR5X cải tiến với hiệu suất cao hơn các phiên bản tiêu chuẩn dành cho GTX 1080 và GTX 1080 Ti. Để tập trung vào dòng chip nhớ thế hệ tiếp theo, Micron đã ngừng phát triển các giải pháp GDDR5X của họ và dồn toàn lực để sản xuất các mô đun nhớ GDDR6 8Gb 14Gbps.
“Đó là một hành trình tuyệt vời để làm việc với Micron qua nhiều thế hệ của các giải pháp đồ họa.” Giám đốc bộ phận GeForce, ông Justin Walker cho biết. “Những nỗ lực với GDDR5 và GDDR5X của Micron đã giúp củng cố mối quan hệ và xây dựng nên sự hợp tác cao giữa NVIDIA và Micron trong việc cung cấp GDDR6 ở bước tiếp theo.”
Ông Ralf Ebert, giám đốc phân khúc đồ họa cho điện toán và kinh doanh mạng của Micron đã đăng tải một bài viết trên blog của mình để chia sẽ sự vui mừng của mình đối với thỏa thuận: “với những nổ lực chung của chúng tôi để đưa ra thị trường các giải pháp chơi game thế hệ mới đã mang những nhu cầu mới.” Tuy nhiên, trái ngược với thế hệ trước, thỏa thuận này một mặc vẫn để ngõ khả năng tham gia vào cuộc chơi của NVIDIA dành cho SK Hynix và Samsung.
SK Hynix hiện đang tiến hành đám phán với NVIDIA mặc dù họ vẫn chưa tiết lộ có hay không sẽ cung cấp bộ nhớ GDDR6 14Gbps hoặc các chip HBM2 hiệu suất cao. Không có bất kỳ thông tin gì về việc dịch chuyển từ card chuyên nghiệp về card chơi game của Samsung, nhưng với bộ nhớ 14Gbps thế hệ tiếp theo, Samsung dễ dàng trở thành nhà tiên phong gia nhập cùng Micron trong cuộc chơi mới cùng NVIDIA.
Không cần phải nói, GDDR6 là một bước tiến lớn so với người tiền nhiệm của nó, với khả năng tiêu thụ năng lượng ít hơn nhưng có hiệu suất cao hơn rất nhiều. Mặc dù vậy, sự đa dạng về quy trình sản xuất bộ nhớ khác nhau ở mỗi công ty có thể mang đến một số khác biệt về hiệu suất, đặc biệt là trong khả năng ép xung.
Ví dụ, Micron tuyên bố đã đạt được một con số 20Gbps với một nguyên mẫu, chỉ cần đẩy điện áp I/O lên một bậc. Điều này có thể không thể đạt được với các chip nhớ của SK Hynix và Samsung.
nguồn: KitGuru!
