Intel và Micron đã có những sự hợp tác rất hiệu quả, trong đó có việc họ đã công bố việc sản xuất và chuyển giao những con chip 3D NAND 4-bit đầu tiên trong tuần này. Những chip NAND mới này sử dụng cấu trúc 64-layer với mật độ lưu trữ lên đến 1TB qua đó trở thành bộ nhớ flash có dung lượng lớn nhất hiện nay.
Ngoài những ấn tượng trong việc phát triển NAND, Intel và Micron cũng đã bắt đầu phát triển cấu trúc 3D NAND 96-tier thế hệ thứ ba với mục đích tiếp tục giữ Intel và Micron luôn ở vị trí hàng đầu khi nói đến mật độ NAND.
Cả hai công nghệ tiên tiến này đều được ứng dụng công nghệ CMOS theo mảng (CuA – CMOS under the array) mà không chỉ thu nhỏ diện tích khuôn mà còn cho phép bốn mặt phẳng so với hai mặt phẳng như trước đây. Kết quả là cho phép các NAND có thể đọc ghi nhiều tế bào song song hơn với cả băng thông và thông lượng được nâng cao hơn.
Với những kết quả trên sẽ thúc đẩy cho việc Intel bây giờ có thể đóng gói các giải pháp lưu trữ dày đặc trong một không gian nhỏ hơn cũng như cắt giảm chi phí trong sản xuất. Phó chủ tịch phát triển công nghệ của Micron, Scott DeBoer đã nói một chút về những phát triển gần đây trong một thông cáo, trong đó có một lưu ý rằng chúng “đạt được tỷ lệ mảng cao hơn 33% so với TLC.” NAND Flash 1TB cũng chỉ là sự khởi đầu, như mọi người kỳ vọng, Micron và Intel sẽ tiếp tục đổi mới công nghệ flash với cấu trúc 96-layer”.
Khi chúng ta tiếp cận được với các NAND 96-layer, các giải pháp lưu trữ sẽ có diện tích nhỏ hơn, điều này sẽ mang lại các lợi ích rất lớn cho các ngành liên quan.
nguồn: KitGuru!
