Giới ép xung chuyên nghiệp trên toàn thế giới vừa đón nhận một kỷ lục về ép xung bộ nhớ mới. Micron vừa thiết lập một kỷ lục về ép xung bộ nhớ DDR4 mới, phá vỡ mức 5,643MHz của Adata với 92Mhz cao hơn.
Stavros Savvopoulos và Phil Strecker đến từ Overclocked Gaming Systems (OGS) đã hoàn thành kỳ tích này với chỉ một thanh nhớ Ballistix Elite 3600MHz kết hợp cùng vi xử lý Intel 8086K và bo mạch chủ Asus Maximus XI Apex. Với sự trợ giúp của ni to lỏng, các chuyên gia đã đẩy mức xung lên tới 5,726MHz.
Càng ấn tượng hơn trong kỷ lục mới này của Micron là Ballistix Elite có khả năng chịu được mức điện áp cực cao và nhiệt độ siêu thấp. Theo Savvopoulos thì thanh nhớ Ballistix Elite sử dụng các IC nhớ E-die của Micron. Rõ ràng đây là một thành tựu của Micron khi mà thế giới đang bị chi phối bởi IC nhớ B-die của Samsung.
Không giống như kỷ lục trước đó được thiết lập bởi Adata và HyperX lập được với các tham số timing khá lỏng lẻo. Thanh nhớ Ballistix Elite của Micron đạt mức xung nhịp 5,726Mhz với tham số timing có phần hợp lý và đẹp mắt hơn. Nhóm OGS đã thiết lập timing mặc định cho thanh nhớ này ở mức CL24-31-31-63 và để cho thanh nhớ này tự do giao động trọng những phần còn lại. Điều này cho thấy tiềm năng thay thế cho B-die của Micron. Biết đâu E-die cũng sẽ trở thành một lựa chọn hàng đầu với những chuyên gia ép xung hardcore.
Computex 2019 đang đến rất gần, và như thường lệ G.skill sẽ tổ chức giải đấu về ép xung bộ nhớ hàng năm. Sẽ rất thú vị để xem liệu những thí sinh tranh tài có tạo nên những kỷ lục nào cho G.skill hay không.