Với bo mạch chủ Z690 Aorus Tachyon cùng vi xử lý Intel Core i9-12900K và bộ nhớ DDR5-4800, chuyên gia ép xung HiCookie đã thiết lập cùng lúc 2 kỷ lục ép xung 8000MHz của cả bộ xử lý lẫn bộ nhớ DDR5.
Cụ thể, khi sử dụng bo mạch chủ Z690 AORUS TACHYON với bộ xử lý Intel Core i9 12900K thế hệ thứ 12 và thông qua giải pháp tản nhiệt nitơ lỏng LN2, HiCookie đã phá vỡ cùng lúc 2 kỷ lục ép xung hàng đầu thế giới là 8000MHz trên CPU i9-12900K và 8300MHz trên bộ nhớ DDR5. Bo mạch chủ GIGABYTE Z690 AORUS TACHYON được thiết kế bởi chuyên gia ép xung nổi tiếng thế giới, trang bị nhiều chức năng dành riêng cho các cao thủ chuyên ép xung, hứa hẹn ép xung đạt điểm cao hơn với thao tác dễ dàng hơn, khẳng định vai trò hàng đầu của GIGABYTE trong việc ép xung trên bo mạch chủ Z690.
Ông Jackson Hsu, Giám đốc bộ phận phát triển sản phẩm giải pháp kênh GIGABYTE cho biết: “GIGABYTE quyết tâm mang thời kỳ huy hoàng ép xung của mình trở lại bằng việc ra mắt bo mạch chủ Z590 AORUS TACHYON và Z690 AORUS TACHYON đã là minh chứng cho thế hệ tiếp theo của dòng sản phẩm chuyên ép xung của GIGABYTE. Z690 AORUS TACHYON là tâm huyết của cả đội ngũ nghiên cứu và phát triển sản phẩm tại GIGABYTE và thể hiện khả năng mạnh mẽ về ép xung LN2 bằng những kỷ lục thế giới mà hãng đã tạo ra. Chúng tôi chắc chắn sẽ sử dụng Z690 AORUS TACHYON để tạo ra hiệu suất ép xung tốt hơn và đang rất nóng lòng chờ đợi những người ép xung trên toàn thế giới sử dụng bo mạch chủ này để phá vỡ nhiều kỷ lục thế giới hơn!
GIGABYTE Z690 AORUS TACHYON được thiết kế bởi các chuyên gia ép xung nổi tiếng dành riêng cho nhu cầu ép xung với sự nhất quán từ thế hệ trước cũng như độ bền và độ ổn định được công nhận rộng rãi của GIGABYTE, Z690 AORUS TACHYON sử dụng nguồn điện 15+1+2 pha trực tiếp, mỗi pha đều có thể giữ được tối đa 105 ampe với thiết kế Smart Power Stage nhằm cung cấp khả năng quản lý điện năng toàn diện. Khu vực VRM triển khai ma trận tụ điện tantali đầy đủ với đáp ứng quá độ nhất thời tốt hơn và ít can thiệp cơ học hơn, có thể cải thiện độ ổn định của nguồn điện và ép xung. Hơn nữa, giải pháp Reactive Armor mới nhất sử dụng tản nhiệt kim loại một mảnh tích hợp để cung cấp phạm vi tản nhiệt lớn hơn, đồng thời lá tản nhiệt được dát mỏng và bề mặt có rãnh cung cấp diện tích tản nhiệt lớn hơn thiết kế truyền thống. Shielded Memory Routing, DIMM bộ nhớ SMD và cài đặt BIOS ép xung bộ nhớ DDR5 toàn diện cũng giúp tăng cường độ ổn định khi ép xung. Trong khi đó, thiết kế bộ ép xung tích hợp trên bo mạch chủ cung cấp các phím tắt, công tắc bật tắt và chức năng phát hiện điện áp mà nhiều người ép xung sử dụng trong quá trình điều chỉnh ép xung, cho phép bạn điều chỉnh cài đặt thuận tiện hơn thông qua các phím tắt này. Điều này giúp bạn dễ dàng phá vỡ giới hạn và đạt được kết quả ép xung tốt hơn. Thử nghiệm thực tế khẳng định hiệu suất ép xung LN2 của CPU i9-12900K 8000 MHz và bộ nhớ DDR5 8300 MHz nhờ khả năng nghiên cứu và phát triển đẳng cấp thế giới từ GIGABYTE.
Với thiết kế VRM công suất kỹ thuật số lên đến 20+1+2 pha và mỗi pha chứa tối đa 105 ampe và thiết kế tản nhiệt Fins-Array III cải tiến, dòng sản phẩm GIGABYTE Z690 AORUS được trang bị thiết kế điện năng và quản lý nhiệt tốt nhất để giải phóng hiệu suất cực cao và khả năng ép xung được tối ưu hóa trên bộ xử lý Intel® Core™ đa lõi K series thế hệ mới. PCB, khe cắm và linh kiện PCIe® 5.0 cũng được triển khai trên Z690 AORUS để nâng cao hiệu suất và độ ổn định. Các khe cắm bộ nhớ SMD độc quyền với ốp che chắn kim loại để chống nhiễu và cài đặt BIOS ép xung bộ nhớ DDR5 cung cấp tín hiệu ổn định hơn cho bộ nhớ, cho phép người dùng tăng hiệu suất XMP và ép xung ổn định hơn. Một vài bo mạch chủ GIGABYTE Z690 AORUS cung cấp I/O đa tính năng với tấm chắn I/O tích hợp cũng như thiết kế Thermal Guard III mới nhất, Smart Fan 6 và nhiều hơn thế nữa. Từ hiệu suất, quản lý điện năng, nhiệt độ, đến âm thanh, bo mạch chủ GIGABYTE Z690 AORUS có đủ và là lựa chọn hoàn hảo cho bất kỳ ai đang tìm cách nâng cấp máy tính của mình lên một tầm cao mới.