Có vẻ như cuối cùng thì Intel cũng sẽ cho phép ép xung bộ nhớ RAM trên các dòng bo mạch chủ non-Z, bắt đầu từ dòng 500-series sắp tới. Với việc hỗ trợ ép xung được kích hoạt, những hệ thống sử dụng bo mạch chủ H570 và B560 sẽ cho phép các thanh nhớ hoạt động ở xung nhịp cao hơn thông số kỹ thuật chính thức nhằm nâng cao hiệu năng.
Không giống như AMD, đã hỗ trợ ép xung trên hầu hết các dòng chipset của họ, Intel cho đến lúc này mới chỉ cho phép ép xung bộ nhớ chỉ trên những bo mạch chủ sử dụng chipset “Z”. Và giờ đây có vẻ như Intel sẽ thay đổi vị trí này và sẽ cho phép ép xung trên các bo mạch chủ tầm trung.
Với nền tảng Comet Lake-S, loạt CPU Core i9 và i7 của Intel đã hỗ trợ bộ nhớ 2933MHz, nhưng các chip i5/i3 và Pentium sẽ chỉ kích hợp xung nhịp bộ nhớ hỗ trợ tối đa là 2666MHz. Theo @momomo_us, nền tảng Rocket Lake-S dự kiến sẽ được bố trí khác với Comet Lake-S, với Core i9, i7 và i5 hỗ trợ lên đến DDR4-3200 trong khi bộ xử lý Core i3 và Pentium sẽ được nâng cấp tối đa ở 2666MHz.
Thực tế là tốc độ bộ nhớ tối đa được hỗ trợ tùy thuộc vào các họ bộ xử lý, có thể là một dấu hiệu cho thấy dòng vi xử lý thê hệ thứ 11 sẽ bao gồm Rocket Lake-S và Comet Lake-S refesh. Các CPU hỗ trợ bộ nhớ DDR4 lên đến 3200 sẽ là những bộ xử lý Rocket Lake-S (Core i5 đến i9), trong khi các CPU hỗ trợ tốc độ bộ nhớ tối đa là DDR-2666 có thể là các bộ phận Comet Lake-S refesh.
Do người dùng sẽ cần ít nhất một bộ xử lý Core i5 để chạy bộ nhớ DDR4-3200, người ta cho rằng bo mạch chủ H570 và B560 sẽ chỉ có khả năng ép xung bộ nhớ khi kết hợp với ba dòng vi xử lý này.