RAMBUS đã bắt đầu công bố những đặc điểm kỹ thuật ban đầu của bộ nhớ DDR5 và HBM3. Sẽ phải mất vài năm trước khi chúng ta thấy chúng được đưa vào sử dụng, nhưng từ những thông số ban đầu sẽ mở ra một bức tranh sáng cho tương lai, với những đột phá lớn về hiệu suất và hiệu quả trong tiêu thụ năng lượng.
Là một phần của sự kiện dành cho các nhà đầu tư, RAMBUS đã bắt đầu nói về những kế hoạch của họ trong tương lai. Theo thông tin từ Computerbase, việc phát triển dòng bộ nhớ DDR5 và HBM3 đang được tiến hành. Để bắt đầu, thế hệ tiếp theo của loạt bộ nhớ HBM sẽ mang một bước nhảy vọt trong hiệu suất truyền dữ liệu lên đến 4GT/s, gấp đôi tốc độ truyền tải trên HBM2. HBM3 sẽ được phát triển trên quy trình 7nm, vì thế sẽ cho bạn một cái nhìn rõ ràng hơn về việc bao lâu nữa thì nó mới xuất hiện.
DDR5 được cho là cũng sẽ tạo dấu ấn trong phát triển và 7nm là mục tiêu. Hiện tại, chúng ta chỉ mới bước vào thời kỳ của 10nm, vì vậy sẽ còn một khoảng thời gian tương đối xa ở phía trước. Tuy nhiên, theo RAMBUS thì bộ nhớ DDR4 hiện cung cấp băng thông khoảng 3200Mbps, với DDR5 được cho là sẽ tăng tốc lên từ 4800Mbps đến 6400Mbps.
